Программа генерации макромодели КМОП ОУ по
паспортным данным (по
технологии
National Semiconductor).
Программа выполняет.
1.
Ввод исходных данных (режим «Мастер» и «Эксперт»). В режиме «Мастер»
требуется менее подробная информация об ОУ (для расчета берутся некоторые
типовые карты расположения нулей, полюсов и усилений).
2.
Генерацию файла *.lib с текстом макромодели.
3.
Формирование отчета о рассчитанных параметрах.
Стандартная модель Бойля,
генерация которой, как правило, предусмотрена в программах ЭСАПР и имеет
широкое применение, однако для некоторых типов современных ОУ она не подходит.
Некоторые ограничения на применение этой модели связаны с тем, что внутренние
потенциалы узлов макромодели отсчитываются от земли.
На сегодня разработано множество
новых SPICE
ММ ОУ. Философия, используемая при создании новых макромоделей,
определяется желанием разработать модель которая, более точно моделируя типичные
режимы ОУ, выполнялась бы намного быстрее, чем модель ОУ на уровне компонентов (такую
модель обычно называют - микромоделью). Соответствие "индивидуальности"
конкретному типу ОУ может быть достигнуто ручной доработкой модели и полным
испытанием каждой модели, чтобы гарантировать, что она точно моделирует режим
реального компонента.
Понятно, что программы САПР не
имеют средств генерации новых ММ по паспортным параметрам ОУ. Это следствие того,
что типов ММ ОУ стало много, они стали сложнее, зачастую требуют ручной
коррекции, по этому разработчики ЭСАПР не предусматривают возможность генерации
таких моделей. Это стало заботой сторонних фирм разработчиков ММ.
Автор этого сайта разработал
методики индетификации параметров некоторых наиболее удачных макромоделей ОУ и
предлагает:
1. Разработку ММ ОУ
КМОП-структуры (отечественных и импортных) по технологии, предложенной
корпорацией National
Semiconductor.
Усложнение современной техники
требует понижения рассеиваемой мощности и напряжениях питания для аналоговых
схем. В ответ на это были разработаны
rail-to-rail
ОУ КМОП-структуры, которые имеют чрезвычайно низкий входной ток смещения (типичное
значение 10 фА), работают от однополярного источника питания, потребляют
маленькую мощность, при этом входной сигнал может быть двуполярным (включая
отрицательную шину питания). Из-за уникальной топологии, которая делает эти
характеристики возможными, потребовалась новая ММ, чтобы получать точные
результаты моделирования.
Весьма удачная ММ для
КМОП ОУ была разработана корпорацией
National
Semiconductor.
В отличие от модели Бойля напряжения внутренних узлов в ней не отсчитываются
относительно земли, нет ограничений на количество полюсов, при умеренной
сложности она весьма точна. Был проведён полный аналитический анализ исходной
модели, что позволило внести в неё ряд усовершенствований. Например, по
некоторым параметрам исходная модель справедлива только при конкретном
напряжении питания, по этому для одного ОУ писалось несколько моделей.
Доработанная модель соответствует оригиналу во всём диапазоне питающих
напряжений. Согласитесь, что это весьма удобно.
Мной разработаны средства генерации таких
моделей. И если поиск требуемой модели не дал
результатов, обращайтесь, модель будет создана и протестирована.
ММ
КМОП
ОУ
National Semiconductor
моделирует:
-
Входной каскад MOSFET
-
Коррекцию эффекта Миллера
-
Моделирование динамического тока потребления
-
Частоту коэффициента единичного усиления
-
Моделирование АФЧХ ОУ с произвольным
количеством нулей и полюсов
-
Максимальное положительное выходное
напряжения
-
Максимальное отрицательное выходное
напряжения
-
Скорость нарастания
-
Входной ток смещения
-
Усиление напряжения с незамкнутым контуром
ОС
-
Коэффициент ослабления синфазного сигнала
-
Фазовую границу
-
Выходное сопротивление на постоянном и
переменном токе
-
Выходное сопротивление на переменном токе
-
Предел выходного тока при коротком
замыкании
|